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2N4403_D11Z

2N4403_D11Z

참조 용

부품 번호 2N4403_D11Z
PNEDA 부품 번호 2N4403_D11Z
설명 TRANS PNP 40V 0.6A TO-92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4403_D11Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4403_D11Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2N4403_D11Z, 2N4403_D11Z 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 69.1 KB)
PDFMMBT4403-D87Z 데이터 시트 표지
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  • 2N4403_D11Z Distributor

2N4403_D11Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)600mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic750mV @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 2V
전력-최대625mW
주파수-전환200MHz
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 1V

전력-최대

30W

주파수-전환

40MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

2SC4682,T6CSF(J

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 30mA, 3A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

800 @ 500mA, 1V

전력-최대

900mW

주파수-전환

150MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

TO-92MOD

FZT690BTA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

3A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

150 @ 2A, 2V

전력-최대

2W

주파수-전환

150MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SOT-223

BC33716TA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

전력-최대

625mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

BUL742CFP

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

4A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 1A, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

48 @ 100mA, 5V

전력-최대

30W

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

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