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2N4416A

2N4416A

참조 용

부품 번호 2N4416A
PNEDA 부품 번호 2N4416A
설명 MOSFET N-CH 35V 5MA TO-206AF
제조업체 Vishay Siliconix
단가
1 ---------- $3.1747
250 ---------- $3.0258
500 ---------- $2.8770
1,000 ---------- $2.7282
2,500 ---------- $2.6042
5,000 ---------- $2.4802
재고 있음 2,060
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N4416A 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4416A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4416A, 2N4416A 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 81.15 KB)
PDFSST4416-T1-E3 데이터 시트 표지
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  • Vishay Siliconix Distributor
  • 2N4416A Price
  • 2N4416A Distributor

2N4416A 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)35V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2.5V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도-50°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AF (TO-72)

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Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

3-CPH

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

PN4117_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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