2N5010
참조 용
| 부품 번호 | 2N5010 |
| PNEDA 부품 번호 | 2N5010 |
| 설명 | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,976 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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2N5010 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2N5010 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-단일 |
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2N5010 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | * |
| 트랜지스터 유형 | - |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | - |
| Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic | - |
| 전류-수집기 차단 (최대) | - |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | - |
| 전력-최대 | - |
| 주파수-전환 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - 트랜지스터 유형 PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA 전류-수집기 차단 (최대) 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10000 @ 100mA, 5V 전력-최대 1W 주파수-전환 125MHz 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 Long Body 공급자 장치 패키지 TO-92 (TO-226) |
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