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2N5457

2N5457

참조 용

부품 번호 2N5457
PNEDA 부품 번호 2N5457
설명 JFET N-CH 25V 0.31W TO-92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가 $1.4553
재고 있음 0
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2N5457 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5457
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N5457, 2N5457 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 388.81 KB)
PDF2N5457 데이터 시트 표지
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2N5457 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7pF @ 15V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대310mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

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전력-최대

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시리즈

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

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80µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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TO-206AF (TO-72)

TF252TH-4A-TL-H

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.1pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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