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2N7002BKV,115

2N7002BKV,115

참조 용

부품 번호 2N7002BKV,115
PNEDA 부품 번호 2N7002BKV-115
설명 MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
제조업체 Nexperia
단가 견적 요청
재고 있음 252,330
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N7002BKV 리소스

브랜드 Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N7002BKV,115
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
2N7002BKV, 2N7002BKV 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 921.07 KB)
PDF2N7002BKV 데이터 시트 표지
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2N7002BKV 사양

제조업체Nexperia USA Inc.
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)340mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
전력-최대350mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SOT-666

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드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

420pF @ 4V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

542pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2026pF @ 30V

전력-최대

2.6W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

FDS4935A

ON Semiconductor

제조업체

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

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