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SQ9945AEY-T1-E3

SQ9945AEY-T1-E3

참조 용

부품 번호 SQ9945AEY-T1-E3
PNEDA 부품 번호 SQ9945AEY-T1-E3
설명 MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 4,680
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SQ9945AEY-T1-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SQ9945AEY-T1-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SQ9945AEY-T1-E3, SQ9945AEY-T1-E3 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 114.17 KB)
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  • SQ9945AEY-T1-E3 Distributor

SQ9945AEY-T1-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs80mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.4W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

73A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 50A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 12.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

161nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2788pF @ 1000V

전력-최대

375W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

SP3

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-PowerUDFN

공급자 장치 패키지

HUML2020L8

SH8J62TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

265pF @ 10V

전력-최대

510mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DFN2020-6

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

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