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2SA1013-O,T6MIBF(J

2SA1013-O,T6MIBF(J

참조 용

부품 번호 2SA1013-O,T6MIBF(J
PNEDA 부품 번호 2SA1013-O-T6MIBF-J
설명 TRANS PNP 1A 160V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1013-O 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SA1013-O,T6MIBF(J
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SA1013-O, 2SA1013-O 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 178.57 KB)
PDF2SA1013-O 데이터 시트 표지
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  • 2SA1013-O,T6MIBF(J Distributor

2SA1013-O 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)160V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic1.5V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce60 @ 200mA, 5V
전력-최대900mW
주파수-전환50MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지TO-92L

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Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 500mA, 2V

전력-최대

900mW

주파수-전환

100MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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Microsemi

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트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

50µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2.5A, 5V

전력-최대

2W

주파수-전환

-

작동 온도

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장착 유형

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전력-최대

-

주파수-전환

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

100V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 500mA, 5A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 2A, 2V

전력-최대

-

주파수-전환

30MHz

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

750mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 135mA, 400mA

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

5 @ 400mA, 5V

전력-최대

950mW

주파수-전환

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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