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2SB1143T

2SB1143T

참조 용

부품 번호 2SB1143T
PNEDA 부품 번호 2SB1143T
설명 TRANS PNP 50V 4A TO-126ML
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,428
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SB1143T 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SB1143T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SB1143T, 2SB1143T 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 314.74 KB)
PDF2SD1683T 데이터 시트 표지
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2SB1143T 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형PNP
전류-수집기 (Ic) (최대)4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic700mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce200 @ 100mA, 2V
전력-최대1.5W
주파수-전환150MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-225AA, TO-126-3
공급자 장치 패키지TO-126ML

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

전력-최대

300mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BSP51,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.3V @ 500µA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

전력-최대

1.25W

주파수-전환

200MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SC-73

JANTX2N3735L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/395

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

40V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

900mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 1.5V

전력-최대

1W

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-5

BCP54,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

45V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

63 @ 150mA, 2V

전력-최대

960mW

주파수-전환

180MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

공급자 장치 패키지

SC-73

JAN2N2222AL

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/255

트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

800mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

50nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

500mW

주파수-전환

-

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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