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2SC3328-O,T6KEHF(M

2SC3328-O,T6KEHF(M

참조 용

부품 번호 2SC3328-O,T6KEHF(M
PNEDA 부품 번호 2SC3328-O-T6KEHF-M
설명 TRANS NPN 2A 80V TO226-3
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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2SC3328-O 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC3328-O,T6KEHF(M
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
2SC3328-O, 2SC3328-O 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 162.86 KB)
PDF2SC3328-Y 데이터 시트 표지
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  • 2SC3328-O,T6KEHF(M Distributor

2SC3328-O 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic500mV @ 50mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대)1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce70 @ 500mA, 2V
전력-최대900mW
주파수-전환100MHz
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 Long Body
공급자 장치 패키지LSTM

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

전류-수집기 차단 (최대)

10nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

전력-최대

150mW

주파수-전환

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NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

140V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.2V @ 10mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

10µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

2000 @ 500mA, 10V

전력-최대

2W

주파수-전환

250MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

1µA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 50mA, 2V

전력-최대

500mW

주파수-전환

300MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

1.5A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

30V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

225mV @ 15mA, 750mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 100mA, 2V

전력-최대

1.3W

주파수-전환

500MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

2.5V @ 700mA, 3.5A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

30 @ 1A, 5V

전력-최대

5W

주파수-전환

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