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2SC5087YTE85LF

2SC5087YTE85LF

참조 용

부품 번호 2SC5087YTE85LF
PNEDA 부품 번호 2SC5087YTE85LF
설명 RF TRANS NPN 12V 7GHZ SMQ
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,060
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SC5087YTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SC5087YTE85LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • 2SC5087YTE85LF Distributor

2SC5087YTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)12V
주파수-전환7GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
이득13dB
전력-최대150mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)80mA
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-61AA
공급자 장치 패키지SMQ

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CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

이득

10dB

전력-최대

1.8W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-243AA

공급자 장치 패키지

-

MS1051

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

18V

주파수-전환

30MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

290W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10 @ 5mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M174

공급자 장치 패키지

M174

1000MA

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

-

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MRF586

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

17V

주파수-전환

3GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

13.5dB

전력-최대

1W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200mA

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-39

2SC5086-Y,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

이득

-

전력-최대

100mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

125°C (TJ)

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