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2SK208-R(TE85L,F)

2SK208-R(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SK208-R(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK208-R-TE85L-F
설명 JFET N-CH 50V S-MINI
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $1.6957
250 ---------- $1.6163
500 ---------- $1.5368
1,000 ---------- $1.4573
2,500 ---------- $1.3910
5,000 ---------- $1.3248
재고 있음 45,275
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2SK208-R(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK208-R(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2SK208-R(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)50V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)300µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대6.5mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지S-Mini

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전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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Central Semiconductor Corp

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-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

100pA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

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