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J109

J109

참조 용

부품 번호 J109
PNEDA 부품 번호 J109
설명 JFET N-CH 25V 625MW TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $3.5377
250 ---------- $3.3718
500 ---------- $3.2060
1,000 ---------- $3.0402
2,500 ---------- $2.9020
5,000 ---------- $2.7638
재고 있음 309,197
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J109 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호J109
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
J109, J109 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 1,096.01 KB)
PDFJ109-D26Z 데이터 시트 표지
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J109 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)25V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)40mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)12 Ohms
전력-최대625mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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Central Semiconductor Corp

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92

2SK1070PIETL-E

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

22V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

0V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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2N5115

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Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

25pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

TF208TH-4-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

140µA @ 2V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

100mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 2V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

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2N4338-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

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Through Hole

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