J3A012YXS/T0BY4551
참조 용
| 부품 번호 | J3A012YXS/T0BY4551 |
| PNEDA 부품 번호 | J3A012YXS-T0BY4551 |
| 설명 | TRANSISTOR JFET 8PLLCC |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,906 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 23 - 3월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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J3A012YXS/T0BY4551 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | J3A012YXS/T0BY4551 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
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J3A012YXS/T0BY4551 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | - |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | - |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | - |
| 전력-최대 | - |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | - |
| 패키지 / 케이스 | - |
| 공급자 장치 패키지 | - |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2.5mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) 200 Ohms 전력-최대 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-75, SOT-416 공급자 장치 패키지 SMCP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 100mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 6V @ 500pA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) 40 Ohms 전력-최대 360mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 (TO-206AA) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 Military, MIL-PRF-19500/385 FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 30V 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 80mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 4V @ 0.5nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 18pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) 60 Ohms 전력-최대 360mW 작동 온도 -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-18 (TO-206AA) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 - 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) - 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지 TO-206AA (TO-18) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7pF @ 15V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 625mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
