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2SK3796-2-TL-E

2SK3796-2-TL-E

참조 용

부품 번호 2SK3796-2-TL-E
PNEDA 부품 번호 2SK3796-2-TL-E
설명 JFET N-CH 10MA 100MW SMCP
제조업체 ON Semiconductor
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2SK3796-2-TL-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3796-2-TL-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK3796-2-TL-E, 2SK3796-2-TL-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 466.46 KB)
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2SK3796-2-TL-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)600µA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대10mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id180mV @ 1µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)200 Ohms
전력-최대100mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-75, SOT-416
공급자 장치 패키지SMCP

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제조업체

ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

60mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

NSVJ2394SA3T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

15V

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

32mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

700mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59-3/CP3

P1086

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

75 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

FJN598JCBU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

20V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100µA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

1mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3.5pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2N4391-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

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