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NSVJ2394SA3T1G

NSVJ2394SA3T1G

참조 용

부품 번호 NSVJ2394SA3T1G
PNEDA 부품 번호 NSVJ2394SA3T1G
설명 IC JFET N-CH LNA SC59-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $3.5730
250 ---------- $3.4055
500 ---------- $3.2380
1,000 ---------- $3.0705
2,500 ---------- $2.9310
5,000 ---------- $2.7914
재고 있음 1,375
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NSVJ2394SA3T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NSVJ2394SA3T1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
NSVJ2394SA3T1G, NSVJ2394SA3T1G 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 595.3 KB)
PDFNSVJ2394SA3T1G 데이터 시트 표지
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  • NSVJ2394SA3T1G Distributor

NSVJ2394SA3T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)15V
드레인-소스 전압 (Vdss)15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)32mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id700mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대200mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SC-59-3/CP3

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18

PN4393_D26Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

250 Ohms

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

MMBF4091

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

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