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2SK2394-6-TB-E

2SK2394-6-TB-E

참조 용

부품 번호 2SK2394-6-TB-E
PNEDA 부품 번호 2SK2394-6-TB-E
설명 JFET N-CH 50MA 200MW CP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $3.0779
250 ---------- $2.9336
500 ---------- $2.7893
1,000 ---------- $2.6451
2,500 ---------- $2.5248
5,000 ---------- $2.4046
재고 있음 4,160
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2SK2394-6-TB-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2394-6-TB-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK2394-6-TB-E, 2SK2394-6-TB-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 288.93 KB)
PDF2SK2394-7-TB-E 데이터 시트 표지
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  • 2SK2394-6-TB-E Distributor

2SK2394-6-TB-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)10mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대200mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-CP

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4.5V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

3 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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TO-92-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

15mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

CP210-2N4416-CT20

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

TF410-TL-HX

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

750mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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