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TIS75_J35Z

TIS75_J35Z

참조 용

부품 번호 TIS75_J35Z
PNEDA 부품 번호 TIS75_J35Z
설명 JFET N-CH 30V 0.35W TO92
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,776
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TIS75_J35Z 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TIS75_J35Z
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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TIS75_J35Z 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)8mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id800mV @ 4nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds18pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)60 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

22V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

0V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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2N4416A

Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

MMBF4393

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

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