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MMBF4393

MMBF4393

참조 용

부품 번호 MMBF4393
PNEDA 부품 번호 MMBF4393
설명 JFET N-CH 30V 350MW SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.9975
500 ---------- $0.9507
1,000 ---------- $0.9040
2,500 ---------- $0.8572
5,000 ---------- $0.8183
10,000 ---------- $0.7793
재고 있음 143,137
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MMBF4393 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBF4393
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBF4393, MMBF4393 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 282.2 KB)
PDFPN4393_D75Z 데이터 시트 표지
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  • MMBF4393 Distributor

MMBF4393 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐)100 Ohms
전력-최대350mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

50mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

3 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AC (TO-52)

2N5116JTXL02

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-206AA (TO-18)

J109,126

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

2SK3666-3-TB-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

200 Ohms

전력-최대

200mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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