2SK3666-3-TB-E
참조 용
| 부품 번호 | 2SK3666-3-TB-E | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | 2SK3666-3-TB-E | ||||||||||||||||||
| 설명 | JFET N-CH 10MA 200MW 3CP | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 12,596 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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2SK3666-3-TB-E 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 2SK3666-3-TB-E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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2SK3666-3-TB-E 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | - |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1.2mA @ 10V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | 10mA |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 180mV @ 1µA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4pF @ 10V |
| 저항-RDS (켜짐) | 200 Ohms |
| 전력-최대 | 200mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | 3-CP |
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