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2SK2394-7-TB-E

2SK2394-7-TB-E

참조 용

부품 번호 2SK2394-7-TB-E
PNEDA 부품 번호 2SK2394-7-TB-E
설명 JFET N-CH 50MA 200MW CP
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $3.3527
250 ---------- $3.1955
500 ---------- $3.0384
1,000 ---------- $2.8812
2,500 ---------- $2.7503
5,000 ---------- $2.6193
재고 있음 8,507
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2SK2394-7-TB-E 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2394-7-TB-E
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK2394-7-TB-E, 2SK2394-7-TB-E 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 288.93 KB)
PDF2SK2394-7-TB-E 데이터 시트 표지
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2SK2394-7-TB-E 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)16mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id300mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대200mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지3-CP

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-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

200mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

200mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

85 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

MMBFJ270

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MX2N4861

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/385

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-18 (TO-206AA)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

700mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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