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2SK3476(TE12L,Q)

2SK3476(TE12L,Q)

참조 용

부품 번호 2SK3476(TE12L,Q)
PNEDA 부품 번호 2SK3476-TE12L-Q
설명 MOSF RF N CH 20V 3A PW-X
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 5,238
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SK3476(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK3476(TE12L,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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  • 2SK3476(TE12L,Q) Distributor

2SK3476(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
트랜지스터 유형N-Channel
주파수520MHz
이득11.4dB
전압-테스트7.2V
전류 정격 (Amps)3A
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력7W
전압-정격20V
패키지 / 케이스TO-271AA
공급자 장치 패키지PW-X

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전원-출력

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패키지 / 케이스

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

720MHz ~ 960MHz

이득

19.7dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

400mA

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53dBm

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전압-정격

5.5V

패키지 / 케이스

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

150MHz

이득

11dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1mA

소음 수치

-

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250mA

전원-출력

150W

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