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2SK715W-AC

2SK715W-AC

참조 용

부품 번호 2SK715W-AC
PNEDA 부품 번호 2SK715W-AC
설명 JFET N-CH 50MA 300MW SPA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,112
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2SK715W-AC 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK715W-AC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK715W-AC, 2SK715W-AC 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 777.4 KB)
PDF2SK715W-AC 데이터 시트 표지
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2SK715W-AC 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)15V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)14.5mA @ 5V
전류 드레인 (Id)-최대50mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id600mV @ 100µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds10pF @ 5V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대300mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스SC-72
공급자 장치 패키지3-SPA

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

200µA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

MMBFU310LT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

24mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2.5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

NSVJ5908DSG5T1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

15V

드레인-소스 전압 (Vdss)

15V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

300mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10.5pF @ 5V (Typ)

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

SC-88AFL/MCPH5

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

MV2N4860UB

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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