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2SK879-Y(TE85L,F)

2SK879-Y(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SK879-Y(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK879-Y-TE85L-F
설명 JFET N-CH 0.1W USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $15.8077
100 ---------- $15.0668
250 ---------- $14.3258
500 ---------- $13.5848
750 ---------- $12.9673
1,000 ---------- $12.3498
재고 있음 392,380
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2SK879-Y(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK879-Y(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2SK879-Y(TE85L,F) Distributor

2SK879-Y(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id400mV @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8.2pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지USM

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

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작동 온도

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Through Hole

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전류 드레인 (Id)-최대

-

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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