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2SK880-Y(TE85L,F)

2SK880-Y(TE85L,F)

참조 용

부품 번호 2SK880-Y(TE85L,F)
PNEDA 부품 번호 2SK880-Y-TE85L-F
설명 JFET N-CH 50V 0.1W USM
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $0.3053
500 ---------- $0.2910
1,000 ---------- $0.2767
2,500 ---------- $0.2624
5,000 ---------- $0.2504
10,000 ---------- $0.2385
재고 있음 5,933
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2SK880-Y(TE85L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK880-Y(TE85L,F)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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  • 2SK880-Y(TE85L,F) Distributor

2SK880-Y(TE85L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)50V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id1.5V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대100mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지USM

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 135°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

*

FET 유형

-

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

-

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

J109_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

40mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

2V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

12 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

J177,126

NXP

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

400mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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