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66112

66112

참조 용

부품 번호 66112
PNEDA 부품 번호 66112
설명 RF POWER TRANSISTOR
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,038
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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66112 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호66112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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66112 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
트랜지스터 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)-
이득-
전력-최대-
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
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이득

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

200 @ 1mA, 2V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

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시리즈

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

이득

11dB ~ 13dB

전력-최대

150mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

주파수-전환

2.7GHz ~ 3.1GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

8.7dB

전력-최대

-

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

CEL

시리즈

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NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

6V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

이득

13.5dB

전력-최대

205mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-343F

공급자 장치 패키지

SOT-343F

CPH6001A-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

6.7GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

이득

11dB

전력-최대

800mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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