A2G35S200-01SR3
참조 용
| 부품 번호 | A2G35S200-01SR3 |
| PNEDA 부품 번호 | A2G35S200-01SR3 |
| 설명 | AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,580 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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A2G35S200-01SR3 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2G35S200-01SR3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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A2G35S200-01SR3 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 3.4GHz ~ 3.6GHz |
| 이득 | 16.1dB |
| 전압-테스트 | 48V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 291mA |
| 전원-출력 | 180W |
| 전압-정격 | 125V |
| 패키지 / 케이스 | NI-400S-2S |
| 공급자 장치 패키지 | NI-400S-2S |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.8MHz ~ 250MHz 이득 21.1dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 115W 전압-정격 133V 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220-3 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.93GHz 이득 16.5dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.1A 전원-출력 125W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
