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BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1

참조 용

부품 번호 BLA6G1011L-200RG,1
PNEDA 부품 번호 BLA6G1011L-200RG-1
설명 RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $3,137.5213
50 ---------- $2,990.4500
100 ---------- $2,843.3787
200 ---------- $2,696.3074
400 ---------- $2,573.7479
500 ---------- $2,451.1885
재고 있음 283
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BLA6G1011L-200RG 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLA6G1011L-200RG,1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLA6G1011L-200RG, BLA6G1011L-200RG 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 955.95 KB)
PDFBLA6G1011LS-200RG 데이터 시트 표지
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BLA6G1011L-200RG 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.03GHz ~ 1.09GHz
이득20dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)49A
소음 수치-
현재-테스트100mA
전원-출력200W
전압-정격65V
패키지 / 케이스SOT-502D
공급자 장치 패키지LDMOST

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주파수

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이득

10dB

전압-테스트

40V

전류 정격 (Amps)

6A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

70W

전압-정격

100V

패키지 / 케이스

440210

공급자 장치 패키지

440210

BF245B_D75Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel JFET

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

15mA

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

30V

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel Dual Gate

주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

5V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.7dB

현재-테스트

12mA

전원-출력

-

전압-정격

7V

패키지 / 케이스

TO-253-4, TO-253AA

공급자 장치 패키지

SOT-143B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

880MHz

이득

17.9dB

전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

90W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-957A

공급자 장치 패키지

NI-780H-2L

2SK3476(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

520MHz

이득

11.4dB

전압-테스트

7.2V

전류 정격 (Amps)

3A

소음 수치

-

현재-테스트

500mA

전원-출력

7W

전압-정격

20V

패키지 / 케이스

TO-271AA

공급자 장치 패키지

PW-X

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