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A2P75S12M3-F

A2P75S12M3-F

참조 용

부품 번호 A2P75S12M3-F
PNEDA 부품 번호 A2P75S12M3-F
설명 IGBT TRENCH 1200V 75A ACEPACK2
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 7,632
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2P75S12M3-F 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2P75S12M3-F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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A2P75S12M3-F 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전력-최대454.5W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)100µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce4700pF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지ACEPACK™ 2

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™2

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

20mW

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.35nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM300GA120DLCSHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

570A

전력-최대

2250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FP15R06KL4BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FS300R12KE3BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

21nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GA300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

530A

전력-최대

1136W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Dual INT-A-PAK

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