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A2T07D160W04SR3

A2T07D160W04SR3

참조 용

부품 번호 A2T07D160W04SR3
PNEDA 부품 번호 A2T07D160W04SR3
설명 FET RF 2CH 70V 803MHZ
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 6,066
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 5 - 11월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T07D160W04SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T07D160W04SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T07D160W04SR3, A2T07D160W04SR3 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 848.83 KB)
PDFA2T07D160W04SR3 데이터 시트 표지
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A2T07D160W04SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수803MHz
이득21.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트450mA
전원-출력30W
전압-정격70V
패키지 / 케이스NI-780S-4
공급자 장치 패키지NI-780S-4

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Infineon Technologies

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주파수

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이득

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전압-테스트

30V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

1.6A

전원-출력

50W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

19dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.3A

전원-출력

140W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

BLF8G22LS-270J

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.17GHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2.4A

전원-출력

80W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-502B

공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.11GHz ~ 2.2GHz

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

38W

전압-정격

28V

패키지 / 케이스

NI-780-2S2L

공급자 장치 패키지

NI-780-2S2L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz ~ 1.215GHz

이득

22dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

1.4µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

250W

전압-정격

106V

패키지 / 케이스

SOT-502F

공급자 장치 패키지

CDFM2

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