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A2T21S161W12SR3

A2T21S161W12SR3

참조 용

부품 번호 A2T21S161W12SR3
PNEDA 부품 번호 A2T21S161W12SR3
설명 AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 8,892
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T21S161W12SR3 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T21S161W12SR3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF

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A2T21S161W12SR3 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수2.11GHz ~ 2.2GHz
이득-
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력38W
전압-정격28V
패키지 / 케이스NI-780-2S2L
공급자 장치 패키지NI-780-2S2L

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공급자 장치 패키지

SOT502B

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

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주파수

1.81GHz ~ 1.88GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

65A

소음 수치

-

현재-테스트

1.9A

전원-출력

70W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.66GHz

이득

15.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

20W

전압-정격

68V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

2N5484_D27Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

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주파수

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이득

-

전압-테스트

15V

전류 정격 (Amps)

5mA

소음 수치

4dB

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

25V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel GaAs HJ-FET

주파수

12GHz

이득

14dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

60mA

소음 수치

0.35dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

165mW

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

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