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NE3511S02-A

NE3511S02-A

참조 용

부품 번호 NE3511S02-A
PNEDA 부품 번호 NE3511S02-A
설명 HJ-FET NCH 13.5DB S02
제조업체 CEL
단가 견적 요청
재고 있음 7,434
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NE3511S02-A 리소스

브랜드 CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NE3511S02-A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
NE3511S02-A, NE3511S02-A 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,432.31 KB)
PDFNE3511S02-T1C-A 데이터 시트 표지
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NE3511S02-A 사양

제조업체CEL
시리즈-
트랜지스터 유형HFET
주파수12GHz
이득13.5dB
전압-테스트2V
전류 정격 (Amps)70mA
소음 수치0.3dB
현재-테스트10mA
전원-출력-
전압-정격4V
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지S02

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이득

20dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

2A

전원-출력

56W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1221-2

공급자 장치 패키지

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트랜지스터 유형

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주파수

100MHz

이득

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10V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

1.5dB

현재-테스트

5mA

전원-출력

-

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20V

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시리즈

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트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

65MHz

이득

23dB

전압-테스트

100V

전류 정격 (Amps)

18A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

880W

전압-정격

600V

패키지 / 케이스

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Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

108MHz

이득

27dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

150W

전압-정격

135V

패키지 / 케이스

SOT-1223-2

공급자 장치 패키지

4-HSOPF

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.8MHz ~ 500MHz

이득

23dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

-

전압-정격

133V

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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