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A2T18H450W19SR6

A2T18H450W19SR6

참조 용

부품 번호 A2T18H450W19SR6
PNEDA 부품 번호 A2T18H450W19SR6
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T18H450W19SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T18H450W19SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T18H450W19SR6, A2T18H450W19SR6 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 2,925.34 KB)
PDFMMRF1311HR5 데이터 시트 표지
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A2T18H450W19SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS
주파수1.805GHz ~ 1.88GHz
이득16.5dB
전압-테스트-
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트-
전원-출력89W
전압-정격30V
패키지 / 케이스NI-1230S-4S4S
공급자 장치 패키지NI-1230S-4S4S

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2.69GHz

이득

18dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

900mA

전원-출력

28W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

LET9045F

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

17.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

9A

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

59W

전압-정격

80V

패키지 / 케이스

M250

공급자 장치 패키지

M250

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

-

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

-

전압-정격

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

HFET

주파수

12GHz

이득

13.5dB

전압-테스트

2V

전류 정격 (Amps)

70mA

소음 수치

0.3dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

4V

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

S02

제조업체

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시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

2.3GHz ~ 2.4GHz

이득

17.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.74A

전원-출력

60W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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