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A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

참조 용

부품 번호 A2T20H330W24SR6
PNEDA 부품 번호 A2T20H330W24SR6
설명 IC TRANS RF LDMOS
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $2,812.4540
50 ---------- $2,680.6202
100 ---------- $2,548.7865
200 ---------- $2,416.9527
400 ---------- $2,307.0912
500 ---------- $2,197.2297
재고 있음 1,967
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

A2T20H330W24SR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호A2T20H330W24SR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
A2T20H330W24SR6, A2T20H330W24SR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 534.46 KB)
PDFA2T20H330W24SR6 데이터 시트 표지
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A2T20H330W24SR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수1.88GHz
이득16.5dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트700mA
전원-출력58W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230-4LS2L
공급자 장치 패키지NI-1230-4LS2L

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Cree/Wolfspeed

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.17GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

20W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-37248-2

공급자 장치 패키지

H-37265-2

375-501N21A-00

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제조업체

IXYS-RF

시리즈

DE

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

-

이득

-

전압-테스트

-

전류 정격 (Amps)

25A

소음 수치

-

현재-테스트

-

전원-출력

940W

전압-정격

500V

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

공급자 장치 패키지

DE375

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

960MHz

이득

19.2dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

1.4A

전원-출력

56W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

OM-780-2

공급자 장치 패키지

OM-780-2

PTFA190451EV4XWSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.96GHz

이득

17.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

10µA

소음 수치

-

현재-테스트

450mA

전원-출력

11W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

H-36265-2

공급자 장치 패키지

H-36265-2

BLF578XRS,112

Ampleon

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

225MHz

이득

23.5dB

전압-테스트

50V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

40mA

전원-출력

1400W

전압-정격

110V

패키지 / 케이스

SOT539B

공급자 장치 패키지

SOT539B

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