A2T21H410-24SR6
참조 용
| 부품 번호 | A2T21H410-24SR6 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | A2T21H410-24SR6 | ||||||||||||||||||
| 설명 | IC TRANS RF LDMOS | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | NXP | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 333 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 21 - 2월 26 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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A2T21H410-24SR6 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | A2T21H410-24SR6 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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- A2T21H410-24SR6 Distributor
A2T21H410-24SR6 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS (Dual) |
| 주파수 | 2.17GHz |
| 이득 | 15.6dB |
| 전압-테스트 | 28V |
| 전류 정격 (Amps) | - |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 600mA |
| 전원-출력 | 72W |
| 전압-정격 | 65V |
| 패키지 / 케이스 | NI-1230-4LS2L |
| 공급자 장치 패키지 | NI-1230-4LS2L |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 880MHz 이득 17.5dB 전압-테스트 26V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 1.4A 전원-출력 170W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 NI-1230 공급자 장치 패키지 NI-1230 |
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제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 주파수 - 이득 - 전압-테스트 - 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 - 전원-출력 - 전압-정격 - 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.3GHz 이득 22.7dB 전압-테스트 50V 전류 정격 (Amps) - 소음 수치 - 현재-테스트 100mA 전원-출력 250W 전압-정격 120V 패키지 / 케이스 SOT-957A 공급자 장치 패키지 NI-780H-2L |
