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AFT23H200-4S2LR6

AFT23H200-4S2LR6

참조 용

부품 번호 AFT23H200-4S2LR6
PNEDA 부품 번호 AFT23H200-4S2LR6
설명 FET RF 2CH 65V 2.3GHZ NI1230-4
제조업체 NXP
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFT23H200-4S2LR6 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFT23H200-4S2LR6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
AFT23H200-4S2LR6, AFT23H200-4S2LR6 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 407.48 KB)
PDFAFT23H200-4S2LR6 데이터 시트 표지
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AFT23H200-4S2LR6 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual)
주파수2.3GHz
이득15.3dB
전압-테스트28V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트500mA
전원-출력45W
전압-정격65V
패키지 / 케이스NI-1230-4LS2L
공급자 장치 패키지NI-1230-4LS2L

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28V

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-

현재-테스트

500mA

전원-출력

72W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780S

공급자 장치 패키지

NI-780S

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

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LDMOS

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이득

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전압-테스트

26V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

300mA

전원-출력

30W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

NI-400S

공급자 장치 패키지

NI-400S

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual), Common Source

주파수

1.47GHz ~ 1.51GHz

이득

22dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

11A

소음 수치

-

현재-테스트

330mA

전원-출력

2.5W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

SOT-1112A

공급자 장치 패키지

CDFM6

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS (Dual)

주파수

920MHz

이득

19.5dB

전압-테스트

48V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

860mA

전원-출력

100W

전압-정격

105V

패키지 / 케이스

OM-780G-4L

공급자 장치 패키지

OM-780G-4L

제조업체

Ampleon USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

1.805GHz ~ 1.995GHz

이득

18.5dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

2.8µA

소음 수치

-

현재-테스트

700mA

전원-출력

172W

전압-정격

-

패키지 / 케이스

SOT-1271-2

공급자 장치 패키지

SOT1271-2

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