ALD1102ASAL
참조 용
| 부품 번호 | ALD1102ASAL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD1102ASAL |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,092 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD1102ASAL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD1102ASAL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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ALD1102ASAL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) Matched Pair |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 270Ohm @ 5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1931pF @ 15V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA, 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 550mOhm @ 540mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 16V 전력-최대 500mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, No Lead 공급자 장치 패키지 X1-DFN1612-6 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
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