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ALD110908APAL

ALD110908APAL

참조 용

부품 번호 ALD110908APAL
PNEDA 부품 번호 ALD110908APAL
설명 MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD110908APAL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD110908APAL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD110908APAL, ALD110908APAL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 106.21 KB)
PDFALD110808ASCL 데이터 시트 표지
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ALD110908APAL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12mA, 3mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs500Ohm @ 4.8V
Vgs (th) (최대) @ Id810mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.5pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-PDIP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

870pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.5W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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BSM080D12P2C008

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 13.2mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 10V

전력-최대

600W

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

SI1563DH-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.13A, 880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 1.13A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

570mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

NTUD3171PZT5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13.5pF @ 15V

전력-최대

125mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

패키지 / 케이스

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