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EFC4C012NLTDG

EFC4C012NLTDG

참조 용

부품 번호 EFC4C012NLTDG
PNEDA 부품 번호 EFC4C012NLTDG
설명 NCH 30V 30A WLCSP6 DUAL
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EFC4C012NLTDG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC4C012NLTDG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
EFC4C012NLTDG, EFC4C012NLTDG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 154.97 KB)
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EFC4C012NLTDG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대2.5W (Ta)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, No Lead
공급자 장치 패키지6-WLCSP (3.5x1.9)

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제조업체

ON Semiconductor

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드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

SOT-383FL, EMH8

PMDPB30XN,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 10V

전력-최대

490mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-HUSON-EP (2x2)

APTM10DSKM09T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

139A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

350nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9875pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FDS4501H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A, 5.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1958pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SSM6N44FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.5pF @ 3V

전력-최대

200mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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