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FDS4501H

FDS4501H

참조 용

부품 번호 FDS4501H
PNEDA 부품 번호 FDS4501H
설명 MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,220
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS4501H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS4501H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS4501H, FDS4501H 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,500.62 KB)
PDFFDS4501H 데이터 시트 표지
FDS4501H 데이터 시트 페이지 2 FDS4501H 데이터 시트 페이지 3 FDS4501H 데이터 시트 페이지 4 FDS4501H 데이터 시트 페이지 5 FDS4501H 데이터 시트 페이지 6 FDS4501H 데이터 시트 페이지 7 FDS4501H 데이터 시트 페이지 8 FDS4501H 데이터 시트 페이지 9 FDS4501H 데이터 시트 페이지 10

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FDS4501H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V, 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9.3A, 5.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1958pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.7V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.1pF @ 3V

전력-최대

200mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

DMHT6016LFJ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

4 N-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.8A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

864pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

12-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

V-DFN5045-12

DMNH6021SPDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.2A, 32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20.1nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1143pF @ 25V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

2N7002DW-13-G

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APTM10DHM05G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

278A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 125A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

700nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

20000pF @ 25V

전력-최대

780W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SP6

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