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ALD210800ASCL

ALD210800ASCL

참조 용

부품 번호 ALD210800ASCL
PNEDA 부품 번호 ALD210800ASCL
설명 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD210800ASCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD210800ASCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD210800ASCL, ALD210800ASCL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 517.08 KB)
PDFALD210800PCL 데이터 시트 표지
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ALD210800ASCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs25Ohm
Vgs (th) (최대) @ Id10mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds15pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 8V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 2.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

715pF @ 6.4V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

CAS120M12BM2

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제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

193A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1.64mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5250pF @ 10V

전력-최대

3.8W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

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