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NTJD2152PT2G

NTJD2152PT2G

참조 용

부품 번호 NTJD2152PT2G
PNEDA 부품 번호 NTJD2152PT2G
설명 MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,668
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTJD2152PT2G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTJD2152PT2G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTJD2152PT2G, NTJD2152PT2G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 133.65 KB)
PDFNTJD2152PT4G 데이터 시트 표지
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NTJD2152PT2G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)775mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs300mOhm @ 570mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds225pF @ 8V
전력-최대270mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88/SC70-6/SOT-363

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FET 유형

2 N Channel (Phase Leg)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

66A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

510nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14600pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

FDZ2553NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 9.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1240pF @ 10V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

18-WFBGA

공급자 장치 패키지

18-BGA (2.5x4)

SI1926DL-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

370mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 340mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18.5pF @ 30V

전력-최대

510mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-70-6 (SOT-363)

NVMD3P03R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.34A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3.05A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 24V

전력-최대

730mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SI1023CX-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

756mOhm @ 350mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

45pF @ 10V

전력-최대

220mW

작동 온도

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