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ALD210804SCL

ALD210804SCL

참조 용

부품 번호 ALD210804SCL
PNEDA 부품 번호 ALD210804SCL
설명 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ALD210804SCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD210804SCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD210804SCL, ALD210804SCL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 107.96 KB)
PDFALD210804PCL 데이터 시트 표지
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  • ALD210804SCL Distributor

ALD210804SCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

215mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

전력-최대

1.25W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 25A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1150pF @ 15V

전력-최대

8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-LGA

공급자 장치 패키지

5-PTAB (5x3.5)

ALD114904SAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

EPAD®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Depletion Mode

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12mA, 3mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

500Ohm @ 3.6V

Vgs (th) (최대) @ Id

360mV @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2.5pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IPG20N04S412ATMA1

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 15µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1470pF @ 25V

전력-최대

41W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA, 660mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V, 520mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF, 113pF @ 16V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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