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ALD210808APCL

ALD210808APCL

참조 용

부품 번호 ALD210808APCL
PNEDA 부품 번호 ALD210808APCL
설명 MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD210808APCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD210808APCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD210808APCL, ALD210808APCL 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 113.6 KB)
PDFALD210808ASCL 데이터 시트 표지
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  • ALD210808APCL Distributor

ALD210808APCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형4 N-Channel, Matched Pair
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)10.6V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id20mV @ 10µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지16-PDIP

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

58mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

665pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

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시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 11.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

CMLDM7003 TR

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Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

280mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 25V

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

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12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 5.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 400µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 935µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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1.3W

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