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SI6913DQ-T1-GE3

SI6913DQ-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SI6913DQ-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SI6913DQ-T1-GE3
설명 MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 297,108
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SI6913DQ-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SI6913DQ-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SI6913DQ-T1-GE3, SI6913DQ-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 221.11 KB)
PDFSI6913DQ-T1-E3 데이터 시트 표지
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SI6913DQ-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id900mV @ 400µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대830mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-TSSOP

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.1A, 6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.4nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

631pF @ 15V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMTH4007SPDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2026pF @ 30V

전력-최대

2.6W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

NTJD4105CT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

NVMFD5C672NLT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta), 49A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.9mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 30µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

793pF @ 25V

전력-최대

3.1W (Ta), 45W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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DMN3012LDG-13

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 15V, 1480pF @ 15V

전력-최대

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