SI6913DQ-T1-GE3
참조 용
부품 번호 | SI6913DQ-T1-GE3 |
PNEDA 부품 번호 | SI6913DQ-T1-GE3 |
설명 | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
제조업체 | Vishay Siliconix |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 297,108 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택) |
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SI6913DQ-T1-GE3 리소스
브랜드 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SI6913DQ-T1-GE3 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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SI6913DQ-T1-GE3 사양
제조업체 | Vishay Siliconix |
시리즈 | TrenchFET® |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 12V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.9A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 900mV @ 400µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
전력-최대 | 830mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
공급자 장치 패키지 | 8-TSSOP |
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