ALD210808ASCL
참조 용
| 부품 번호 | ALD210808ASCL |
| PNEDA 부품 번호 | ALD210808ASCL |
| 설명 | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC |
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,362 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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ALD210808ASCL 리소스
| 브랜드 | Advanced Linear Devices Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | ALD210808ASCL |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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ALD210808ASCL 사양
| 제조업체 | Advanced Linear Devices Inc. |
| 시리즈 | EPAD®, Zero Threshold™ |
| FET 유형 | 4 N-Channel, Matched Pair |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 10.6V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 80mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 20mV @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 16-SOIC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 13.4mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.55V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 960pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 642pF @ 10V 전력-최대 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.9A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 160mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1167pF @ 25V 전력-최대 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 12-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 V-DFN5045-12 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 PowerPAIR®, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc), 30A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 10A, 10V, 11.5mOhm @ 14.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5nC @ 4.5V, 9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 15V, 650pF @ 15V 전력-최대 16W, 16.7W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-Power33 (3x3) |
제조업체 IXYS 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.6mOhm @ 150A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 172nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지 ISOPLUS i4-PAC™ |
