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ALD310700ASCL

ALD310700ASCL

참조 용

부품 번호 ALD310700ASCL
PNEDA 부품 번호 ALD310700ASCL
설명 MOSFET 4 P-CH 8V 16SOIC
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD310700ASCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD310700ASCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD310700ASCL, ALD310700ASCL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 506.67 KB)
PDFALD310700ASCL 데이터 시트 표지
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ALD310700ASCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id20mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.5pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지16-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta), 2.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3A, 10V, 290mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.5nC, 12.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

610pF, 1550pF @ 25V

전력-최대

1.4W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SSM6N7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

17pF @ 10V

전력-최대

285mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

660pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IRF7102

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

120pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A, 5.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1932pF @ 15V

전력-최대

1.19W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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