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DMS3019SSD-13

DMS3019SSD-13

참조 용

부품 번호 DMS3019SSD-13
PNEDA 부품 번호 DMS3019SSD-13
설명 MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMS3019SSD-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMS3019SSD-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMS3019SSD-13, DMS3019SSD-13 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 376.14 KB)
PDFDMS3019SSD-13 데이터 시트 표지
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  • DMS3019SSD-13 Distributor

DMS3019SSD-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7A, 5.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs42nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1932pF @ 15V
전력-최대1.19W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 2A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 10V

전력-최대

5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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Panasonic Electronic Components

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SSMini6-F3-B

IRF7379TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDG6317NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

66.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1037pF @ 15V

전력-최대

3.6W, 4.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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