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NTLJD3115PTAG

NTLJD3115PTAG

참조 용

부품 번호 NTLJD3115PTAG
PNEDA 부품 번호 NTLJD3115PTAG
설명 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NTLJD3115PTAG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NTLJD3115PTAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
NTLJD3115PTAG, NTLJD3115PTAG 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 138.4 KB)
PDFNTLJD3115PTAG 데이터 시트 표지
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NTLJD3115PTAG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs6.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds531pF @ 10V
전력-최대710mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지6-WDFN (2x2)

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

260pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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SH8M4TB1

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1190pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI4943CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19.2mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1945pF @ 10V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP56D0UV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.58nC @ 4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50.54pF @ 25V

전력-최대

400mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SOT-563

CSD75208W1015

Texas Instruments

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FET 유형

2 P-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 10V

전력-최대

750mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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