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SH8M4TB1

SH8M4TB1

참조 용

부품 번호 SH8M4TB1
PNEDA 부품 번호 SH8M4TB1
설명 MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,100
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SH8M4TB1 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SH8M4TB1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SH8M4TB1, SH8M4TB1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 181.7 KB)
PDFSH8M4TB1 데이터 시트 표지
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SH8M4TB1 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1190pF @ 10V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

118A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.9mOhm @ 20A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 15V

전력-최대

12W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerLDFN

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

EFCP2718-6CE-020

DMP2160UFDB-7R

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SI3909DV-T1-E3

Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

500mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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