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ALD310702PCL

ALD310702PCL

참조 용

부품 번호 ALD310702PCL
PNEDA 부품 번호 ALD310702PCL
설명 MOSFET 4 P-CH 8V 16DIP
제조업체 Advanced Linear Devices Inc.
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ALD310702PCL 리소스

브랜드 Advanced Linear Devices Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ALD310702PCL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ALD310702PCL, ALD310702PCL 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 506.72 KB)
PDFALD310702APCL 데이터 시트 표지
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  • ALD310702PCL Distributor

ALD310702PCL 사양

제조업체Advanced Linear Devices Inc.
시리즈EPAD®, Zero Threshold™
FET 유형4 P-Channel, Matched Pair
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)8V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id180mV @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2.5pF @ 5V
전력-최대500mW
작동 온도0°C ~ 70°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스16-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지16-PDIP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

32.4mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

353pF @ 15V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.9A, 1.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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